[12a-S401-1~8] 1.3 新技術・複合新領域

[12a-S401-3] 反応性イオンエッチング装置の単結晶、多結晶シリコン部品のエッチングによる変化

〇松本 哲之^1,2、本間 哲哉¹ (1.芝工大、2.キオクシア)

キーワード：単結晶シリコン、多結晶シリコン、表面粗さ

反応性イオンエッチング（RIE）プロセスでは、上部電極に単結晶シリコン（単結晶Si）、多結晶シリコン（多結晶Si）を使う装置がある。単結晶Siと多結晶Siの試験片を準備し、ウエハーに貼り付けてプラズマ暴露し消耗量と表面粗さを比較した。単結晶Siは、多結晶Siより消耗量が少なく、プラズマ暴露後、単結晶Siの表面粗さは増加し、多結晶Siの表面粗さは減少することがわかった。