[12p-N102-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12p-N102-14] C₃H₆ / H₂プラズマを用いたアモルファスカーボン成膜において水素ガス流量比が膜特性に与える影響

〇(M2)黒川 純平¹、光成 正^2,3、堤 隆嘉³、近藤 博基³、関根 誠³、石川 健治³、堀 勝³ (1.名大院工、2.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ、3.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：プラズマCVD、非晶質カーボン、エッチングマスク

C₃H₆ / H₂プラズマにより、エッチングハードマスク応用に向けた非晶質カーボン成膜を行った。ガス流量比を変化させた場合、水素流量比が大きいほど堆積速度は速く、残留応力は小さくなる傾向が得られた。堆積速度の増加は、水素イオン衝突によるダングリングボンド生成量の増加によると考えられる。また、残留応力の減少は、水素イオン衝突により膜中のC-C結合が切断されることで欠陥が形成され、応力が緩和された可能性が考えられる。