[12p-N305-1~14] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[12p-N305-13] サブミクロン Ga₂O₃ MOSFETの高周波パワー特性

〇上村 崇史¹、Roberto Quaglia²、Martin Kuball³、Paul Tasker²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.Cardiff Univ.、3.Univ. of Bristol)

キーワード：酸化ガリウム、高周波FET、ロードプル

Siイオン注入ドーピングを用いてチャネルとコンタクトを形成したGa₂O₃ MOSFETの1 GHz ロードプル測定を行い、RF入出力特性を評価した。
入力側のインピーダンスが高すぎたことで整合が取れておらず、最適条件で得られた結果でないが、入力電力3.9 dBmの条件で、最大出力電力17.6 dBmが得られた。電力密度に換算すると580 mW/mmとなり、Ga₂O₃ FETとしては良好な値であった。