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[12p-N323-1] A Study of Al Wiring and Al Gate with A Minimal Sputtering Tool
Keywords:minimalfab, Al-Si gate, HiPIMS
レガシーと先端技術を融合させ、新規デバイスを短期間で設計、試作、量産まで行えるミニマルファブでは、非常にシンプルなAlゲートCMOS FETは有用である。ミニマルAlゲートMOSは、ゲート、コンタクト、配線をすべて同時に形成する非常にシンプルなプロセスであり、このために材料としてはAl-1%Si合金を用いているが、スパッタ条件によりデバイス特性や信頼性に影響を与えうるSi析出現象等について検討した。