The 82nd JSAP Autumn Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[12p-N323-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Sun. Sep 12, 2021 1:00 PM - 4:15 PM N323 (Oral)

Hitoshi Habuka(Yokohama Natl. Univ.), Tetsuya Goto(Tohoku Univ.)

1:15 PM - 1:30 PM

[12p-N323-2] Gap Fill characteristics of Minimal Plasma TEOS Film for Inter metal layer

Noriko Miura1, Hiroyuki Tanaka2, Shuichi Noda2, Sommawan Khumpuang1,2, Shiro Hara1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST)

Keywords:minimalfab, plasma CVD

ミニマルファブを用いた実用的デバイスの開発の一環として、多層配線プロセスの開発も行っている。本研究では、層間絶縁膜であるTEOS膜の配線間の埋め込み性を評価したので、その結果について報告する。