1:15 PM - 1:30 PM
[12p-N323-2] Gap Fill characteristics of Minimal Plasma TEOS Film for Inter metal layer
Keywords:minimalfab, plasma CVD
ミニマルファブを用いた実用的デバイスの開発の一環として、多層配線プロセスの開発も行っている。本研究では、層間絶縁膜であるTEOS膜の配線間の埋め込み性を評価したので、その結果について報告する。
Oral presentation
13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology
Sun. Sep 12, 2021 1:00 PM - 4:15 PM N323 (Oral)
Hitoshi Habuka(Yokohama Natl. Univ.), Tetsuya Goto(Tohoku Univ.)
1:15 PM - 1:30 PM
Keywords:minimalfab, plasma CVD