[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-1] ミニマルスパッタ装置によるAl配線、ゲート材料形成に関する考察

〇野田 周一¹、田中 宏幸¹、加瀬 雅¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.誠南工業)

キーワード：ミニマルファブ、Al-Siゲート、高パワーインパルスマグネトロンスパッタ

レガシーと先端技術を融合させ、新規デバイスを短期間で設計、試作、量産まで行えるミニマルファブでは、非常にシンプルなAlゲートCMOS FETは有用である。ミニマルAlゲートMOSは、ゲート、コンタクト、配線をすべて同時に形成する非常にシンプルなプロセスであり、このために材料としてはAl-1%Si合金を用いているが、スパッタ条件によりデバイス特性や信頼性に影響を与えうるSi析出現象等について検討した。