[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-2] ミニマルプラズマTEOS膜の配線間埋め込み特性

〇三浦 典子¹、田中 宏幸²、野田 周一²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ、2.産総研)

キーワード：ミニマルファブ、プラズマCVD

ミニマルファブを用いた実用的デバイスの開発の一環として、多層配線プロセスの開発も行っている。本研究では、層間絶縁膜であるTEOS膜の配線間の埋め込み性を評価したので、その結果について報告する。