[12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[12p-N323-3] ミニマルファブでNSGを用いた多層配線プロセスの検討(Ⅱ)

〇加瀬 雅¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史郎^1,2 (1.産総研、2.ミニマル)

キーワード：ミニマルファブ、多層配線

ニマルファブで多層配線プロセスにNSGを用いる検討を行った。前回の報告では、NSG上のAl配線の加工、NSGの加工としてViaの開口、NSGの絶縁性の確認はできたが、最終工程の水素シンタリング後にNSGにクラックが発生した。今回、このクラックを抑制するために、NSG塗布後の熱処理温度の変更、NSG塗布時エッジリンスを適用し、Al3層配線TEGの試作を行いNSGのクラックを抑制することができた。