[13a-S201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-S201-7] Mist CVD法による酸化インジウムパウダーを用いたα-In₂O₃成長

〇田口 義士¹、金子 健太郎²、藤田 静雄²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大、2.京都大)

キーワード：Mist CVD、酸化インジウム、残留キャリア濃度

準安定相コランダム構造酸化インジウム(α-In₂O₃)はパワーデバイスへ応用が期待されている材料であり, Mist CVD法により成長可能であることが報告されている. しかし, Mist CVD成長α-In₂O₃のデバイス化における課題として, 膜中の残留キャリア濃度が高いことが挙げられる. 本研究ではMist CVD成長α-In₂O₃薄膜の残留キャリア濃度減少を目的として, 出発原料に炭素を含まないIn₂O₃パウダーを用いて成長を行った.