[22p-P06-1~15] 12.4 有機EL・トランジスタ

[22p-P06-12] 新規構造による高利得・低電圧の印刷型有機source-gatedトランジスタ

〇(M1)池田 侑司¹、逸見 悠大¹、Radu Sporea²、松井 弘之¹ (1.山形大ROEL、2.Univ. of Surrey)

キーワード：有機トランジスタ、ソースゲートトランジスタ、Ph-BTBT-C10

ウェアラブルデバイスの普及が進む中で、低電力動作と高利得増幅を持ち合わせた有機トランジスタ(OFET)回路の開発が求められている。ソース電極に意図的なショットキー障壁を設けたSource-Gated Transistor (SGT)は低電圧動作や高利得などの特徴から、ウェアラブルデバイスへの応用に適している。本研究では新規構造を用いたOSGTを開発し、歩留まりを低下させることなく、従来のOFET構造と比較して低電圧化・高利得化に成功したので報告する。