[23a-P06-1~5] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[23a-P06-4] リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上

〇松尾 拓朗¹、山本 圭介¹、王 冬¹ (1.九大総理工)

キーワード：ゲルマニウム、移動度