一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [16p-Z25-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2021年3月16日(火) 13:30 〜 16:15 Z25 (Z25) 森 伸也(阪大)、蓮沼 隆(筑波大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [16a-Z23-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:00 Z23 (Z23) 鵜殿 治彦(茨城大)、山口 憲司(量研機構)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2021年3月16日(火) 13:30 〜 16:15 Z23 (Z23) 末益 崇(筑波大)、原 康祐(山梨大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [16a-Z13-1~12] 13.3 絶縁膜技術 2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:15 Z13 (Z13) 高木 信一(東大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年3月18日(木) 13:30 〜 17:15 Z24 (Z24) 東 清一郎(広島大)、岡田 竜弥(琉球大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [19a-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年3月19日(金) 09:00 〜 11:45 Z24 (Z24) 羽深 等(横国大)、呉 研(日大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [19p-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年3月19日(金) 13:30 〜 16:15 Z24 (Z24) 角嶋 邦之(東工大)、曽根 正人(東工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [16a-Z26-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:00 Z26 (Z26) 猪川 洋(静大)、森 貴洋(産総研)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [17a-Z26-1~9] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年3月17日(水) 09:00 〜 11:15 Z26 (Z26) 丸亀 孝生(東芝)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年3月17日(水) 13:30 〜 18:00 Z26 (Z26) 遠藤 和彦(産総研)、加藤 公彦(産総研)