[16p-Z07-1~11] Power device technology trends and future prospects

[16p-Z07-4] Effect of Electron Capture in SiC MOSFETs on V_th under High Gate Oxide Electric Field Stress

〇Munetaka Noguchi¹, Akihiro Koyama¹, Toshiaki Iwamatsu¹, Hiroyuki Amishiro¹, Hiroshi Watanabe¹, Naruhisa Miura¹ (1.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:SiC, MOSFET, PBTI

本研究では、SiC MOSFETにおける高ゲート酸化膜電界印加時のPBTI特性を評価し、ゲート酸化膜中への電子・正孔捕獲過程を分離することで高ゲート酸化膜電界印加時に電子捕獲がSiC MOSFETのしきい値電圧(V_th)に及ぼす影響を解析した。さらに、ゲート通過電荷量(Q_stress)に着目し、電子捕獲による初期V_thからの変化 (ΔV_th,elec)とQ_stressの関係を検討した。その結果、高ゲート酸化膜電界印加時において、Q_stressがΔV_th,elecの判断基準をとなることを見出した。