[17a-Z03-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [17a-Z03-1] Admittance Analysis of Plasma-induced Defects in SiN Films Introduced by Plasma Exposure Using a Distributed Bulk-dielectric Trap Model

〇Tomohiro Kuyama^1,2, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:plasma-induced damage, border trap, SiN film

半導体絶縁体界面近傍に存在する欠陥は，電子デバイス動作時にノイズ増大や信頼性劣化を引き起こすことが知られている．本研究ではプラズマプロセス中に絶縁膜中の界面近傍に形成される欠陥（ボーダートラップ）に着目し，等価回路モデルを用いてArとHeプラズマ曝露により形成される欠陥の違いを比較した．各プラズマに曝露したSiN膜のアドミタンスの周波数依存性を等価回路モデルで再現し，ボーダートラップの詳細を解析した．