[17a-Z03-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [17a-Z03-2] Characterization of Plasma-Damaged Layers at the Bottom and Sidewall of Si Deep-RIE Holes Using Micro Photoreflectance Spectroscopy

〇Takashi Hamano^1,2, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:Plasma-Induced Damage, Si Deep-RIE Hole, Sidewall

近年デバイス構造の3次元立体化に伴い，複雑な3次元構造作製過程におけるプラズマ誘起欠陥形成が懸念されている．計算科学により3次元特有の欠陥形成機構が予測される一方，構造体内部に対してブランケット領域と同様の分析，解析手法を適用することは難しい．本研究では非接触，高感度な光学的欠陥解析手法である顕微フォトリフレクタンス分光法を用いて，シリコン深掘り孔底面および側壁表面のプラズマ誘起欠陥層を解析した．