[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [17a-Z03-5] Ar/C₄F₈/SF₆を用いたガス変調サイクルプロセスにおける活性種の挙動

〇(M1)吉江 泰斗¹、三好 康史²、堤 隆嘉¹、釘宮 克尚²、石川 健治¹、堀 勝¹ (1.名大、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：プラズマ、半導体、エッチング

ガス変調サイクルプロセスではC₄F₈を用いた堆積およびArとSF₆を用いたエッチングを交互に行うことで、形状異常の少ない高アスペクト比エッチングを可能にしているが、プラズマ中の粒子挙動は解明されていない。本研究では発光分光分析法を用いてAr及びC₂の発光強度の経時変化を計測した。その結果、C₄F₈導入時にAr、C₂ともに発光強度が大きく低下することが分かり、C₂とArに相関があることを示している。