[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-10] (111)面チャネルの薄膜化によるInAs-OI nMOSFETのサブバンド制御手法の提案と極薄膜(111) InAs-OI基板の実現

〇(DC)隅田 圭¹、吉津 遼平²、トープラサートポン カシディット^1,2、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.東大工)

キーワード：半導体、InAs、MOSFET

III-V nMOSFETsは, 低い半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位によって性能が大きく制限される. 前半の2つの欠点は, Γ点の有効質量が非常に軽いことに起因する為, 極めて本質的である. 本研究では, L点の有効質量の異方性を用いることで前半の2つの問題を克服できること, InAsチャネルを用いることで伝導帯内の界面準位をInGaAsに比べて低減できること, およびL点伝導の実現の為に極薄膜 (111) InAs-OI構造が極めて有望であることを提案する.