[17p-Z26-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[17p-Z26-8] Si/Ge heterogenous complementary FET (hCFET) through layer transfer technology

〇Tatsuro Maeda¹, Hiroyuki Ishii¹, Toshifumi Irisawa¹, T.-Z. Hong², P.-J. Sung², Y.-J. Lee², W. H. Chang¹ (1.AIST, 2.TSRI)

Keywords:layer transfer technology, heterogenous complementary FET, germanium

2nm世代以降の新たCMOSアーキテクチャとして、nFETとpFETが同じチャネルレイアウトで上下に積層され、共通ゲートで動作させるComplementary FET(CFET)が注目されている。CFETでは、上下のチャンネル性能バランスを図るため、チャネル膜厚や積層数など、3次元的な設計最適化が必要となるが、Si nFETとGe pFETの異種(heterogeneous)チャネル積層もその一つの手段となる。今回我々は、転写技術を使ってSi層とGe層の異種積層構造を作り、heterogeneous Complementary FET (hCFET)を実現したので報告する。