[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18a-Z05-10] 4H-SiC ショットキー PNダイオードのスイッチング特性解析

〇亀和田 亮¹、児島 一聡²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学、2.産総研)

キーワード：ショットキーPNダイオード(SPND)、SiC ダイオード、パワー半導体

ショットキーPNダイオード(SPND)はドリフト層が熱平衡時に完全空乏化しているため、導通に寄与するキャリアは電子または正孔の一方のみとなり、高速なスイッチング特性を有していることがダイヤモンドで実証されている。今回は4H-SiCを用いたSPNDを試作し、スイッチング特性を解析した。その結果、SiC SPNDはユニポーラ動作に基づいた、測定温度に依存しない高速なスイッチング特性を示した。