[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18a-Z05-2] 4H-SiCにおける基底面部分転位対の収縮にステップが与える影響の解明

〇平能 敦雄¹、榊間 大輝¹、波田野 明日可¹、泉 聡志¹ (1.東大工)

キーワード：SiC、転位、分子動力学シミュレーション

4H-SiC結晶中に存在するBPD(基底面転位)は，大部分がTED(貫通刃状転位)へと変換されているが，変換現象は未だに解明されていない．SiC表面上にはステップが形成されており，BPDの一端は表面へと出ていることから，ステップはBPD部分転位対の収縮現象に影響を与える．そこで，ステップが存在する条件下での収縮過程の反応経路解析を行った．その結果，転位対のバーガースベクトルの向きによって収縮の起こりやすさが異なることが分かった．