[18a-Z16-1~8] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[18a-Z16-2] Advantages of 150 kV electron beam lithography for thick resist

〇Tatsuki Sugihara^1,2, Arata Kaneko¹ (1.Tokyo Metro. Univ., 2.ELIONIX Inc.)

Keywords:electron beam lithography, acceleration voltage, cross-sectional shape

本講演では電子ビームリソグラフィーにおける加速電圧に着目し，これがレジスト断面形状に与える影響について述べる．1600nm厚のPMMAレジストを用いた時，50kVと比較して100, 150kVでは垂直性が高いことがわかった．また，γ値が高いレジストを用いた時，同様の結果が得られることがわかった．さらに，これらの結果を電子散乱の軌跡と比較して考察を述べる．