[18a-Z17-1~11] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [18a-Z17-10] Influence of gas pressure for oriented AlN film growth by magnetic mirror-type magnetron cathode

〇Yuuto Kawato¹, Taisei Motomura², Tatsuo Tabaru², Masato Uehara², Tetsuya Okuyama¹ (1.NIT Kurume College, 2.AIST)

Keywords:sputtering, low gas pressure

周波数フィルタに適するAlN薄膜は、平滑な表面と良い配向度を持っている必要があり、本研究ではそれらを同時に実現できるようなスパッタ条件を探索した。一般的なマグネトロンカソードより低電力・低ガス圧力環境下でスパッタ成膜可能な磁気ミラー型マグネトロンカソードを用いてAlN薄膜の成膜を試み、50 Wの低電力時においても、0.1 Paの低ガス圧力環境において、配向性の良いAlN薄膜が得られることを示した。