[18a-Z17-1~11] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [18a-Z17-10] 磁気ミラー型マグネトロンカソードを用いた窒化アルミニウム成膜の配向性に対するガス圧力の影響

〇川戸 勇人¹、本村 大成²、田原 竜夫²、上原 雅人²、奥山 哲也¹ (1.久留米高専、2.産総研)

キーワード：スパッタリング、低ガス圧力

周波数フィルタに適するAlN薄膜は、平滑な表面と良い配向度を持っている必要があり、本研究ではそれらを同時に実現できるようなスパッタ条件を探索した。一般的なマグネトロンカソードより低電力・低ガス圧力環境下でスパッタ成膜可能な磁気ミラー型マグネトロンカソードを用いてAlN薄膜の成膜を試み、50 Wの低電力時においても、0.1 Paの低ガス圧力環境において、配向性の良いAlN薄膜が得られることを示した。