[19a-Z24-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19a-Z24-4] A Study of dry etching process of Silicon oxide film using Minimal Fab

〇Hiroyuki Tanaka¹, Yoshiyuki Nozawa^2,3, Toshihiro Hayami^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:MINIMAL, Dry Etching, Oxide Process

プラズマダメージが問題となる半導体デバイス向けSi酸化膜のエッチングに関しては、これまで本格的に着手してこなかった。しかしながら、デバイスの縮小化を進めた場合、ドライエッチングプロセスが必須となった。そこで、シリコンやメタルエッチングに用いてきた既存のミニマルドライエッチャーが、酸化膜向けのフロン系ガスを用いたときの実験を行い、酸化膜エッチングに適用できる見通しを得たので報告する。