The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19a-Z24-1~10] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Fri. Mar 19, 2021 9:00 AM - 11:45 AM Z24 (Z24)

Hitoshi Habuka(Yokohama Natl. Univ.), Yan Wu(Nihon Univ.)

10:00 AM - 10:15 AM

[19a-Z24-5] Investigation of Ashing Rate and Uniformity Improvement using Microwave-Excited Water Vapor Plasma

Takeshi Aizawa1, Tasuku Sakurai1, Tatsuo Ishijima1, Yasunori Tanaka1, Yusuke Nakano1, Shiro Hara2,3 (1.Kanazawa Univ., 2.MINIMAL, 3.AIST)

Keywords:Ashing, Minimal Fab, Water plasma

レジスト除去工程は薬液処理および酸素プラズマアッシングが主流である。我々は新規レジスト除去手法として水プラズマアッシング法の研究開発を進めている。本手法は非常に速いアッシングレートを有しているが,面内均一性を課題としている。本発表では,プラズマ生成部であるアンテナ形状および照射距離を変更し,面内均一性の向上について検討した。