Top-gate monolayer MoS<sub>2 </sub>MOSFETs with ZrO<sub>2</sub> gate dielectrics formed by low temperature ALD

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

2021年3月19日(金) 09:00 〜 12:00 Z31 (Z31)

09:15 〜 09:30

〇WENHSIN CHANG¹、Naoya Okada¹、Masayo Horikawa¹、Takahiko Endo²、Yasumitsu Miyata²、Toshifumi Irisawa¹ (1.AIST、2.TMU)

キーワード：MoS2, ZrO2, MOSFET