2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-Z24-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年3月19日(金) 13:30 〜 16:15 Z24 (Z24)

角嶋 邦之(東工大)、曽根 正人(東工大)

13:30 〜 13:45

[19p-Z24-1] 今後のミニマルファブ デバイス開発戦略とTCAD活用

浜本 毅司1、古賀 和博1、小粥 敬成1、服部 淳一2,3、福田 浩一2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.産総研・東大 AIチップデザインオープンイノベーションラボラトリ)

キーワード:半導体、デバイス

ミニマルファブは多品種少量生産を第一のターゲットとした生産システムである。このミニマルファブでのデバイス適応実績としては、MEMS、CMOSおよびそれを用いたオペアンプ、1,000 Gateレベルの集積回路の動作検証が終了している。本発表に於いては、今後のミニマルファブでの開発候補として遡上に挙げたデバイスとその長所・開発項目を整理すると共に、デバイス設計効率向上の観点から導入を開始したTCAD技術の準備状況に関して報告する。