09:00 〜 09:15
〇大西 哲1、御宿 希祐1、Tenneti Devi Srujana1、Chakraborty Parthojit1、町田 克之1、緒方 大樹1、内富 寛隆1、Chang Tso-Fu Mark1、曽根 正人1、三宅 美博1、伊藤 浩之1 (1.東工大)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
09:00 〜 09:15
〇大西 哲1、御宿 希祐1、Tenneti Devi Srujana1、Chakraborty Parthojit1、町田 克之1、緒方 大樹1、内富 寛隆1、Chang Tso-Fu Mark1、曽根 正人1、三宅 美博1、伊藤 浩之1 (1.東工大)
09:15 〜 09:30
〇御宿 希祐1、大西 哲1、Tenneti Devi Srujana1、Chakraborty Parthojit1、町田 克之1、飯田 慎一2、小西 敏文2、曽根 正人1、三宅 美博1、伊藤 浩之1 (1.東工大、2.NTT-AT)
09:30 〜 09:45
〇鈴木 結以1、今泉 文伸1 (1.小山高専)
09:45 〜 10:00
〇(P)Zilong Zhang1、Liwen Sang1、Yasuo Koide1、Satoshi Koizumi1、Meiyong Liao1 (1.NIMS)
10:00 〜 10:15
〇(B)李 睿宸1、杉本 澪貴2、川島 康介2、田中 有弥3、山根 大輔1,2 (1.立命館大、2.立命館大院理工、3.群馬大院理工)
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