一般セッション(口頭講演)
[23a-B201-1~12] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス
2022年9月23日(金) 09:00 〜 12:15 B201 (B201)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇(P)Hung Ba Tran1,2、 Yu-ichiro Matsushita1,2 (1.Tokyo Tech.、2.Quemix Inc.)
09:15 〜 09:30
▼ [23a-B201-2] Effect of Bi doping on the magnetic properties of (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor
〇(M2)Yota Endo1、 Masaaki Tanaka2、 Pham NamHai1,2 (1.Tokyo Tech.、2.Univ. Tokyo)
09:30 〜 09:45
〇(M2)Yooho Choi1、 Keita Ishihara1、 Le Duc Anh1,2,3、 Masaaki Tanaka1,3 (1.EEIS, Tokyo Univ.、2.PRESTO, JST.、3.CSRN, Tokyo Univ.)
09:45 〜 10:00
〇(M2)Seiji Aota1、 Le Duc Anh1,2,3、 Masaaki Tanaka1,3 (1.EEIS, Tokyo Univ.、2.PRESTO, JST、3.CSRN, Tokyo Univ)
10:00 〜 10:15
〇(D)Kohei Eto1、 Satoshi Hiura1、 Soyoung Park1、 Junichi Takayama1、 Agus Subagyo1、 Kazuhisa Sueoka1、 Akihiro Murayama1 (1.IST, Hokkaido Univ.)
10:15 〜 10:30
〇(M1)Haruo Kondo1、 Makoto Shoshin1、 Masashi Kawaguchi1、 Masamitsu Hayashi1 (1.The Univ. of Tokyo)
10:45 〜 11:00
〇Takanori Shirokura1、 Tuo Fan1、 Nguyen Huynh Duy Khang1、 Pham Nam Hai1 (1.Tokyo Tech.)
11:00 〜 11:15
〇(M2)Kosuke Ohnishi1、 Motomi Aoki1、 Ei Shigematsu1、 Ryo Ohshima1、 Yuichiro Ando1,2、 Taishi Takenobu3、 Masashi Shiraishi1 (1.Kyoto Univ.、2.PRESTO, JST、3.Nagoya Univ.)
11:15 〜 11:30
〇南波 章太1、 高橋 茂樹2、 平山 義幸2、 ファム ナムハイ1 (1.東工大、2.サムスン日本)
11:30 〜 11:45
〇Tomoya Higo1,2,3、 Kouta Kondou3,4、 Takuya Nomoto5,6、 Masanobu Shiga2、 Shoya Sakamoto2、 Xianzhe Chen2、 Daisuke Nishio-Hamane2、 Ryotaro Arita3,4,5、 Yoshichika Otani2,3,4,7、 Shinji Miwa2,3,7、 Satoru Nakatsuji1,2,3,7,8 (1.Dept. of Phys., UTokyo、2.ISSP, UTokyo、3.JST CREST、4.RIKEN CEMS、5.RCAST, UTokyo、6.JST PREST、7.TSQSI, UTokyo、8.Johns Hopkins Univ.)
11:45 〜 12:00
〇Yuki Osada1、 Takanori Shirokura1、 Nam Hai Pham1 (1.Tokyo Tech.)
12:00 〜 12:15
〇(D)Takumi Matsuo1、 Tomoya Higo1,2,3,4、 Hanshen Tsai1,2,3、 Daisuke Nishio-Hamane2、 Satoru Nakatsuji1,2,3,4,5 (1.Dept. of Phys., Univ. of Tokyo、2.ISSP, Univ. of Tokyo、3.JST-CREST、4.Trans-Quantum Sci. Inst.、5.Johns Hopkins U.)