[20p-A406-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20p-A406-10] Bosch ProcessにおけるRFバイアスのパルス周波数依存の研究

〇田中 宏幸¹、野沢 善幸²、速水 利泰²、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.産総研、2.SPPテクノロジーズ、3.ミニマルファブ)

キーワード：ボッシュ、ミニマル、深掘り

TSV電極を製作するためにはSi基板を所望の深さまでエッチングするまでの間、マスク材となるフォトレジストがエッチングに耐え十分に残存することが必須である。ところが、レジストマスクはできるだけ薄膜マスクの方が扱いが易しいことから望ましい。すなわち、リソグラフィでは薄膜が望ましく、深掘りエッチング上では厚膜が望ましいこととなる。viaホールの様な狭小空間を深掘り進むには長時間のエッチングが必要であり、Si基板250µm厚の貫通は容易ではない。そこで深掘りエッチングのパルスバイアスの周期を振ったところ対レジスト選択比を向上させることができた。