[20p-A406-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20p-A406-9] Study on Improvement of Al Wiring Dimension of Minimal Fab Multilayer Wiring Process

〇Masashi Kase¹, Khumpuang Sommawan^1,2, Shirou Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:minimalfab, multilayer wiring, Al

一般の半導体デバイスの多層配線では1層目のAl配線(Al1)と2層目のAl配線(Al2)が交差する箇所が存在し、この交差する箇所ではウェハ内の段差が大きくなる。今回我々は3層配線を採用する前にミニマルファブの2層配線でどのような課題があるのかをAl1の寸法、Al2の寸法を変えて検討を行った。この時、Al1上のAl2の寸法がAl1の寸法とAl２の寸法にどのような影響を受けるか実験を行った。結果については当日報告する。