[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-18] XPS及び走査型オージェ電子分光によるSiC基板上SiO_２薄膜の熱分解脱離

〇佐藤 聖能¹、室野 優太¹、遠田 義晴¹ (1.弘大院理工)

キーワード：SiC、熱脱離、SiO2

Si基板上のSiO₂膜は、ある温度以上で真空加熱すると、ボイド状に分解脱離する。一方、SiC基板上SiO₂膜の熱脱離に関しては不明であり、SiC熱酸化速度に関する反応機構を解明する上でも、熱分解脱離過程を明らかにすることは有用である。そこで本研究は、SiC基板上SiO₂薄膜の熱脱離について、リアルタイムXPSで測定し、SAMによる脱離途中の表面構造や元素組成を分析したので、その結果を報告する。