[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-2] 4H-SiC 半絶縁基板を用いた Well-less MOSFET の p/n channel 動作

〇甲斐 陶弥¹、児島 一聡²、大島 武³、田中 保宣²、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.産総研、3.量研機構)

キーワード：4H-SiC、CMOS、半絶縁

4H-SiC CMOS 回路は、宇宙や原子力分野といった高温高放射線耐性環境下での長時間動作に期待されているデバイスである。デバイスの活性層を絶縁層で構成すれば、耐放射線性に優れた理想的な構造となると考えられる。 本研究では，4H-SiC n/p MOSFET をバナジウムドープ 4H-SiC 半絶縁基板上に作製し，その特性について検討した。