[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-6] Si(111)基板上に作製したGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの不揮発メモリ特性の評価

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、量子井戸、不揮発メモリ

IoT社会及びSociety 5.0の実現に向けて、不揮発メモリの更なる⾼性能化は重要である。我々は、GaN系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）でのサブバンド間遷移現象を用いることで、⾼速な不揮発メモリの実現を⽬指している。今回、我々は、この不揮発メモリのSiデバイス等との集積化に向けて、Si(111)基板上に作製したGaN系RTDの不揮発メモリ特性を評価したので報告する。