[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-7] Effects of defect levels in vicinity of GaN surface on C-V characteristics of MOS structure with Mg-doped p-GaN (2)

〇(M2)Yuya Tamamura¹, Takahide Nukariya¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:p-GaN, MOS, defect level

p-GaNと絶縁体の界面においては、電荷中性点(E_CNL)より価電子帯側に分布するドナー型の界面準位が広いエネルギー幅でイオン化して、C–V特性に大きな電圧シフトとして影響する可能性がある。結果として広いバイアス範囲にわたって顕著となる深い空乏状態においても、サブバンドギャップ光を用いることで禁制帯内準位の評価が可能になる可能性がある。本研究においては、ALD Al₂O₃とp-GaNの界面について、光支援C–V測定により評価した結果について報告する。