[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-8] Characterization of interface states near conduction band in lightly Mg-implanted GaN after high-temperature cap annealing using n-GaN MOS structure

〇Yuki Hatakeyama¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, interface states, MOS structure

GaNを用いたパワーデバイス作製プロセスにおいて、p型選択的ドープのためのMgイオン注入技術が期待される。反転型nチャネルMOSFETにおいては、プロセス後に発生する伝導帯付近の界面準位について調べておく必要がある。本報告では、低濃度Mgイオン打ち込みを行ったn-GaNに対して、高温でのキャップアニールを行ってから作製したMOS構造を利用して、伝導帯付近の界面準位密度分布を調べた。