[20p-P04-1~21] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[20p-P04-9] Effects of photo-electrochemical etching on C-V characteristics of MOS structure with Mg-doped p-GaN

〇(M1)Takahide Nukariya¹, Yuya Tamamura¹, Kouta Kubo¹, Taketomo Sato¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:p-GaN, MOS

GaNは、大きな禁制帯幅、高い絶縁破壊電界、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーMOSFET向けの材料として有望である。n-チャネルの高効率MOSFET実現のためには、絶縁体とp-GaNとの界面の制御が重要である。今回我々は、光電気化学エッチングによるp-GaN表面のエッチングを行い、その上に形成されるMOS構造の特性に与える影響について調べた。