[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-8] 低濃度Mgイオン注入後高温キャップアニールしたGaNにおける伝導帯付近界面準位のn-GaN MOS構造を利用した評価

〇畠山 優希¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、界面準位、MOS構造

GaNを用いたパワーデバイス作製プロセスにおいて、p型選択的ドープのためのMgイオン注入技術が期待される。反転型nチャネルMOSFETにおいては、プロセス後に発生する伝導帯付近の界面準位について調べておく必要がある。本報告では、低濃度Mgイオン打ち込みを行ったn-GaNに対して、高温でのキャップアニールを行ってから作製したMOS構造を利用して、伝導帯付近の界面準位密度分布を調べた。