[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-9] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対する光電気化学エッチングの効果

〇(M1)忽滑谷 崇秀¹、玉村 祐也¹、久保 広大¹、佐藤 威友¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：p-GaN、MOS

GaNは、大きな禁制帯幅、高い絶縁破壊電界、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーMOSFET向けの材料として有望である。n-チャネルの高効率MOSFET実現のためには、絶縁体とp-GaNとの界面の制御が重要である。今回我々は、光電気化学エッチングによるp-GaN表面のエッチングを行い、その上に形成されるMOS構造の特性に与える影響について調べた。