[21a-A406-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[21a-A406-6] 多結晶p型Ge上におけるショットキー整流性コンタクトの形成

〇茂藤 健太^1,2、都甲 薫³、高山 智成¹、今城 利文³、山本 圭介¹ (1.九大院 総理工、2.学振特別研究員、3.筑波大院 数理物質)

キーワード：多結晶Ge、ショットキーバリアダイオード、整流性コンタクト