[21a-A406-1~8] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[21a-A406-8] Effects of n-type impurity doping in solid-phase crystallization of Ge thin films

〇Koki Nozawa¹, Takeshi Nishida^1,2, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of. Tsukuba, 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:Solid-phase crystallization

薄膜トランジスタの高性能化には、絶縁体上への高移動度半導体薄膜の形成および伝導型の制御が不可欠である。我々は高密度非晶質Ge薄膜の固相成長により、多結晶Ge薄膜の低温形成に成功するとともに、その最高正孔移動度を更新してきた。本研究では、n型ドーパントを添加した非晶質Ge薄膜を固相成長することで、n型多結晶Ge薄膜を得ることを検討した。ドーパント添加による固相成長様態の変化を体系化するとともに、低温多結晶n型Ge薄膜の中で最高移動度となる 390 cm² V⁻¹ s⁻¹を達成したので報告する。