[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-10] NO窒化を施した非基底面上SiO₂/SiC構造のバンドアライメント評価

〇中沼 貴澄¹、小林 拓真¹、染谷 満²、岡本 光央²、吉越 章隆³、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研、3.原子力機構)

キーワード：SiC MOS、NO窒化、非基底面

NO窒化を施した非基底面（a面やm面）MOSFETは、Si面に比べて高い移動度を示す。我々は、非基底面SiC MOS構造の界面特性改善には、1250°C 30分以上の十分な窒化が必要なものの、酸化膜絶縁性は劣化することを示した。これは窒化の進行に伴う伝導帯オフセット低下によると考えられる。本発表では、窒化条件や結晶面を変えた試料に対し、XPSによるバンドアライメント評価および絶縁性評価を行うことで、窒化の影響を詳細に調査したので報告する。