[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-12] セルフアラインリセスゲートGa₂O₃ MOSFET作製に向けたエッチングプロセスの開発

〇上村 崇史¹、東脇 正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

キーワード：酸化ガリウム、高周波FET

Ga₂O₃ MOSFET において、電流利得遮断周波数 9 GHz、最大発振周波数 27 GHz の優れた高周波小信号特性を実証してきた。RF 特性の一層の向上を実現するには、アクセス抵抗の最小化が有効な手段の1つである。本研究では、アクセス抵抗の大幅な低減が期待できるセルフアラインリセスゲートを持つ、短ゲート Ga₂O₃ MOSFET の作製に向けたエッチングプロセスを開発した。