[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[21a-M206-13] 3659 V, 0.37 A /mm 微傾斜ダイヤモンド上に作製した NO₂ドープ ダイヤモンド MOSFET

サハ ニロイ チャンドラ¹、金 聖祐²、小山 浩司²、大石 敏之¹、〇嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工、2.アダマンド並木精密宝石(株))

キーワード：ダイヤモンド

NO2-doped p-channel diamond MOSFETs were fabricated on a high-quality misoriented diamond substrate, and they exhibited the highest breakdown voltages of 3659 V among diamond.