[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-2] 熱酸化SiO₂/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位

〇藤井 開¹、鐘ヶ江 一孝¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、DLTS