[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [21p-A106-13] X線逆格子空間マッピングを用いたカーボンドープシリコンナノワイヤにおける3軸歪評価(III)

〇吉岡 和俊^1,2、張 桐永¹、伊藤 佑太¹、寿川 尚¹、廣沢 一郎^2,3、渡辺 剛⁴、横川 凌^1,2、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.九州シンクロトロン光研究センター、4.高輝度光科学研究センター)

キーワード：カーボンドープシリコン、歪、逆格子空間マッピング

本研究では、ナノワイヤ状に微細加工したカーボンドープシリコン(Si:C)（C濃度: 0.60%）における歪緩和の詳細な挙動について検討した。結果として、Si:C薄膜をナノワイヤ状に微細加工したことで面内方向の歪緩和が生じたが、Si:Cナノワイヤの幅が200 nmになるとナノワイヤの方位によってRSMプロファイルが異なる傾向を示し、結晶方位によって微細加工に伴う歪緩和に差が生じることが示された。