[21p-A106-1~18] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[21p-A106-15] ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果

〇木村 圭佑¹、田岡 紀之¹、西村 駿介¹、大田 晃生¹、牧原 克典¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：超薄膜、XPS、NiSi

近年、厚さを数nm以下まで薄層化した金属ナノシート(MNS)において、電界効果による抵抗変調や分子の吸着による抵抗変化などが報告されており、MNSに注目が集まっている。我々は、SiO₂上のNi/Si積層構造に熱処理を行うことで、平坦で単一結晶相からなる厚さ~5 nmのニッケルシリサイドNSの形成を報告してきた。更なる薄層化でのシリサイド反応制御においては、熱処理時のSiおよびNiの酸化の抑制・抑止が重要であると考えられることから、今回、Ni/Si積層構造上にSiをキャップ層として堆積し、そのキャップ層効果について調べた。