[21p-A205-1~21] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス（旧3.15）

△ [21p-A205-17] 導波路に向けた屈折率自由度を持つSiONの成膜条件の検討

〇(M2)山口 圭太¹、Eissa Moataz¹、大礒 義孝¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2,3 (1.東工大工、2.東工大未来研、3.PETRA)

キーワード：導波路、SiON、成膜

Si光集積回路における導波路には一般的にSiやSiNが用いられている。しかしながら、SiONというSiO2（1.45）とSiN（～2.0）の値全ての屈折率範囲を取りうるSiONを用いることで、その回路設計自由度を向上することができる。実際の作製においては、先行研究では限定的なSiON屈折率の範囲でしか検討がされていない 。そこで今回、広い範囲で屈折率が変更可能な成膜条件を検討したので報告する。