[21p-B203-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [21p-B203-18] Fabrication of high-mobility In₂O₃-TFT using Atomic layer deposition

〇Yuuto Kawato¹, Takanori Takahashi¹, Mutsunori Uenuma¹, Masaharu Kobayashi², Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.IIS, Univ. of Tokyo)

Keywords:oxide semiconductor, Atomic layer deposition, Thin film transistor

三次元集積デバイスに酸化物半導体を実装するため、良好な段差被覆性と膜の均一性を持つ原子層堆積（ALD）法が着目されている。本研究では、酸化物半導体の電子輸送を担う材料であるIn2O3について、ALD法によるIn2O3の成膜と薄膜トランジスタ（TFT）への応用を行った。ALD法を用いた均一な極薄膜チャネルの成膜によりTFTを完全空乏型として動作させることができ、In₂O₃を10nm程度まで薄膜化しても高移動度の確保とノーマリーオフの特性を達成した。