[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-18] 原子層堆積法を用いた高移動度 In₂O₃薄膜トランジスタの作製

〇川戸 勇人¹、髙橋 崇典¹、上沼 睦典¹、小林 正治²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.東大生研)

キーワード：酸化物半導体、原子層堆積法、薄膜トランジスタ

三次元集積デバイスに酸化物半導体を実装するため、良好な段差被覆性と膜の均一性を持つ原子層堆積（ALD）法が着目されている。本研究では、酸化物半導体の電子輸送を担う材料であるIn2O3について、ALD法によるIn2O3の成膜と薄膜トランジスタ（TFT）への応用を行った。ALD法を用いた均一な極薄膜チャネルの成膜によりTFTを完全空乏型として動作させることができ、In₂O₃を10nm程度まで薄膜化しても高移動度の確保とノーマリーオフの特性を達成した。